SSM3J56ACT データシート Toshiba

SSM3J56ACT - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : CST3 (表面実装)

SSM3J56ACT の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3J56ACT
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 100
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 1.4 A
Drain-source On Resistance-Max 0.39 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -1.4
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
PD(W) 0.5
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Qg(nC) 1.6
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V 4
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V 0.9
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.66
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.48
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.39
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-8
タイプ
ピン数 3
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3J56ACTのレビュー

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