SSM3J35AFS データシート Toshiba

SSM3J35AFS - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET

SSM3J35AFS の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3J35AFS
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 21
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.25 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0021 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 2 pF
ID(A) -0.25
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 0.5
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qg(nC)
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V 20
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V 4
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 2.9
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 2.1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 1.4
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-10
タイプ
ピン数 3
世代 U-MOSⅦ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3J35AFSのレビュー

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