SSM3J356R,LF Toshiba

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : SOT-23F (表面実装)

SSM3J356R,LF の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3J356R,LF
メーカーTOSHIBA
種別小信号MOSFET
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.4 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 25 pF
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6 A
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3J356R,LFのレビュー

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