SSM3J352F データシート Toshiba

SSM3J352F - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : S-Mini (表面実装)

SSM3J352F の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3J352F
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 210
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.136 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -2
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
PD(W) 0.6
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Qg(nC) 5.1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.443
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.11
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.199
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.136
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-12
タイプ
ピン数 3
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3J352Fのレビュー

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