SSM3J326T データシート Toshiba

SSM3J326T - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET

SSM3J326T の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3J326T
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 650
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.6 A
Drain Current-Max (ID) 5.6 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0393 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -5.6
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W)
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.25 W
Qg(nC) 9.3
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.115
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0393
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.0625
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.0457
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -30
VGSS(V) +/-12
データシート
ピン数 3
ライフサイクル
極性 P-ch
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3J326Tのレビュー

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