SSM3J01T データシート Toshiba

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : TSM (表面実装)

SSM3J01T の詳細情報

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  • メーカー情報
型番SSM3J01T
メーカーTOSHIBA
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 1.7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.6 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 3.4 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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