S5566GTPB2 データシート Toshiba

S5566GTPB2 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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S5566GTPB2 の詳細情報

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型番S5566GTPB2
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type RECTIFIER DIODE
JESD-30 Code O-PALF-W2
Number of Elements 1
Number of Phases 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Output Current-Max 1 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style LONG FORM Meter
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 400 V
Surface Mount NO
Terminal Form WIRE
Terminal Position AXIAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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