RN2964FE-TE85L(F) データシート Toshiba

RN2964FE-TE85L(F) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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F:RoHS品|バイポーラトランジスタ | 複合抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) | 2 in 1

RN2964FE-TE85L(F) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RN2964FE-TE85L(F)
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
DC Current Gain-Min (hFE) 80
Number of Elements 2
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

RN2964FE-TE85L(F)のレビュー

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