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バイポーラトランジスタ | 複合抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) | 2 in 1|パッケージ : US6 (表面実装)

RN2964 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RN2964
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-base Capacitance-Max 6 pF
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 30
JESD-30 Code R-PDSO-F6
JESD-609 Code e0
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.05 W
Q1IC (Max)(A) -0.1
Q1VCEO (Max)(V) -50
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) 47
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) 47
Q2IC (Max)(A) -0.1
Q2VCEO (Max)(V) -50
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) 47
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) 47
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
ピン数 6
内部接続 2 in 1 (平行配置タイプ)
極性 PNP x 2
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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