RN2427TE85LF Toshiba

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バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)

RN2427TE85LF の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RN2427TE85LF
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.55
Collector Current-Max (IC) 0.8 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 90
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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