RN1973
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バイポーラトランジスタ | 複合抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) | 2 in 1|パッケージ : US6 (表面実装)
RN1973 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | RN1973 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | その他-トランジスタ |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Additional Feature | BUILIT-IN BIAS RESISTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 0.05 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 20 V |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 120 |
| IC (Max)(A) | |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 6 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.05 W |
| Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | ∞ |
| Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | 47 |
| Q2IC (Max)(A) | 0.1 |
| Q2VCEO (Max)(V) | 50 |
| Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | ∞ |
| Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | 47 |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 250 MHz |
| VCEO (Max)(V) | |
| データシート | |
| ピン数 | 6 |
| ライフサイクル | |
| 内部接続 | 2 in 1 (平行配置タイプ) |
| 極性 | NPN x 2 |
| 面実装区分 | Y |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
RN1973のレビュー
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