RN1502-TE85L データシート Toshiba

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バイポーラトランジスタ | 複合抵抗内蔵型トランジスタ(BRT) | 2 in 1

RN1502-TE85L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RN1502-TE85L
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 50
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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