RN1226
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RN1226 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | RN1226 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1 |
| Collector Current-Max (IC) | 0.8 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 90 |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 300 MHz |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
RN1226のレビュー
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