RN1106(F) データシート

Name: RN1106(F)
Brand: TOSHIBA
SKU: 280250401-0000-0000-0000

RN1106(F) - TOSHIBA の商品詳細ページです。
F:RoHS品|バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : SSM (表面実装)

5時間49分後以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00 までに見積もり回答いたします。

検討リストに追加する

RN1106(F) の詳細情報

型番	RN1106(F)
メーカー	TOSHIBA
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
Collector Current-Max (IC)	0.05 A
Collector-emitter Voltage-Max	20 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	30
JESD-30 Code	R-PDSO-F3
JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.05 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz