6時間51分後
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11月05日(火) 9:00
までに見積もり回答いたします。
型番 | RN1105MFV |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | その他-トランジスタ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 |
Case Connection | COLLECTOR |
Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
DC Current Gain-Min (hFE) | 80 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.15 W |
Q1IC (Max)(A) | 0.1 |
Q1VCEO (Max)(V) | 50 |
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | 47 |
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | 2.2 |
Q2IC (Max)(A) | |
Q2VCEO (Max)(V) | |
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | |
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
ピン数 | 3 |
内部接続 | シングル品 |
極性 | NPN |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
RN1105MFV - TOSHIBA の商品詳細ページです。
バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : VESM (表面実装)