バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)
型番 | RN1105FTTE85L |
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メーカー | TOSHIBA |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
DC Current Gain-Min (hFE) | 80 |
Number of Elements | 1 |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.1 W |
Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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