6時間59分後
以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00
までに見積もり回答いたします。
型番 | RN1105(F) |
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メーカー | TOSHIBA |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36 |
Collector Current-Max (IC) | 0.05 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 20 V |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
DC Current Gain-Min (hFE) | 30 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
JESD-609 Code | e0 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.05 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 250 MHz |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
RN1105(F) - TOSHIBA の商品詳細ページです。
F:RoHS品|バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : SSM (表面実装)