RN1103TE85L データシート

Name: RN1103TE85L
Brand: TOSHIBA
SKU: 280218206-0000-0000-0000

RN1103TE85L - TOSHIBA の商品詳細ページです。

No Image

２営業日以内に回答いたします

バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)

RN1103TE85L の詳細情報

型番	RN1103TE85L
メーカー	TOSHIBA
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	70
JESD-30 Code	R-PDSO-G3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.1 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz

会社名称	株式会社東芝
設立	1875年7月
資本金	4,399億円
所在地	東京都港区芝浦1-1-1
URL	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/