RN1103MFV データシート

Name: RN1103MFV
Brand: TOSHIBA
SKU: 280281017-0000-0000-0000

RN1103MFV - TOSHIBA の商品詳細ページです。

No Image

２営業日以内に回答いたします

バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : VESM (表面実装)

RN1103MFV の詳細情報

型番	RN1103MFV
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	その他-トランジスタ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	70
JESD-30 Code	R-PDSO-F3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W
Q1IC (Max)(A)	0.1
Q1VCEO (Max)(V)	50
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)	22
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)	22
Q2IC (Max)(A)
Q2VCEO (Max)(V)
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
ピン数	3
内部接続	シングル品
極性	NPN
面実装区分	Y