RN1103FS - TOSHIBA の商品詳細ページです。
バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)

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RN1103FS の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RN1103FS
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 100
JESD-30 Code R-PDSO-F3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.05 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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