RN1103ACT データシート

Name: RN1103ACT
Brand: TOSHIBA
SKU: 280405214-0000-0000-0000

RN1103ACT - TOSHIBA の商品詳細ページです。
バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : CST3 (表面実装)

5時間56分後以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00 までに見積もり回答いたします。

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RN1103ACT の詳細情報

型番	RN1103ACT
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	その他-トランジスタ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	0.08 A
Collector-emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	70
IC (Max)(A)	0.1
JESD-30 Code	R-XBCC-N3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	UNSPECIFIED
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.1 W
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)	22
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)	22
Q2IC (Max)(A)
Q2VCEO (Max)(V)
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	BOTTOM
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VCEO (Max)(V)	50
データシート
ピン数	3
ライフサイクル
内部接続	シングル品
極性	NPN
面実装区分	Y