RN1102CT - TOSHIBA の商品詳細ページです。
バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : CST3 (表面実装)

1

7時間14分後 以内に見積もり依頼を頂ければ、
11月05日(火) 9:00 までに見積もり回答いたします。

RN1102CT の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RN1102CT
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 60
IC (Max)(A) 0.05
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.05 W
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) 10
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) 10
Q2IC (Max)(A)
Q2VCEO (Max)(V)
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCEO (Max)(V) 20
データシート
ピン数 3
ライフサイクル
内部接続 シングル品
極性 NPN
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

RN1102CTのレビュー

RN1102CT のご注文について