RN1102
データシート
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- 個
RN1102 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | RN1102 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | その他-トランジスタ |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
| Case Connection | COLLECTOR |
| Collector Current-Max (IC) | 0.05 A |
| Collector-base Capacitance-Max | 6 pF |
| Collector-emitter Voltage-Max | 20 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 30 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | CHIP CARRIER Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.05 W |
| Q1IC (Max)(A) | 0.1 |
| Q1VCEO (Max)(V) | 50 |
| Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | 10 |
| Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | 10 |
| Q2IC (Max)(A) | |
| Q2VCEO (Max)(V) | |
| Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | |
| Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 250 MHz |
| VCEsat-Max | 0.3 V |
| ピン数 | 3 |
| 内部接続 | シングル品 |
| 極性 | NPN |
| 面実装区分 | Y |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
RN1102のレビュー
RN1102 のご注文について
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RN1102 - TOSHIBA の商品詳細ページです。
バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : SSM (表面実装)