RN1101MFV データシート

Name: RN1101MFV
Brand: TOSHIBA
SKU: 280274388-0000-0000-0000

RN1101MFV - TOSHIBA の商品詳細ページです。
バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)|パッケージ : VESM (表面実装)

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11月05日(火) 9:00 までに見積もり回答いたします。

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RN1101MFV の詳細情報

型番	RN1101MFV
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	その他-トランジスタ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-base Capacitance-Max	0.7 pF
Collector-emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	30
JESD-30 Code	R-PDSO-F3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W
Q1IC (Max)(A)	0.1
Q1VCEO (Max)(V)	50
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)	4.7
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)	4.7
Q2IC (Max)(A)
Q2VCEO (Max)(V)
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VCEsat-Max	0.3 V
ピン数	3
内部接続	シングル品
極性	NPN
面実装区分	Y