RN1002-TPE2 データシート Toshiba

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バイポーラトランジスタ | 抵抗内蔵型トランジスタ(BRT)

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RN1002-TPE2 の詳細情報

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型番RN1002-TPE2
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 50
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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