6時間15分後
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11月05日(火) 9:00
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型番 | RFM08U9X |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | MOSFET |
種別 | 高周波パワーMOSFET |
データシート | |
Configuration | SINGLE |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5 A |
Drain Current-Max (ID) | 5 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID (Max)(A) | 5 |
ID (Max)(A)@Tc=25degC | 5 |
JESD-30 Code | R-XQFP-F4 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 4 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
PD (Max)(W) | 20 |
PD (Max)(W)@Tc=25degC | 20 |
Package Body Material | UNSPECIFIED |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLATPACK Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 20 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | YES |
Sパラメータ | S-parameter |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | QUAD |
VDSS (Max)(V)@Tc=25degC | 36 |
ピン数 | 3 |
用途 | UHF/VHF帯業務無線用(520MHz) |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
RFM08U9X - TOSHIBA の商品詳細ページです。
MOSFET | 高周波パワーMOSFET|パッケージ : PW-X (表面実装)