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MOSFET | 高周波パワーMOSFET|パッケージ : PW-X (表面実装)

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RFM08U9X の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RFM08U9X
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別高周波パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5 A
Drain Current-Max (ID) 5 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID (Max)(A) 5
ID (Max)(A)@Tc=25degC 5
JESD-30 Code R-XQFP-F4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD (Max)(W) 20
PD (Max)(W)@Tc=25degC 20
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLATPACK Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Sパラメータ S-parameter
Terminal Form FLAT
Terminal Position QUAD
VDSS (Max)(V)@Tc=25degC 36
ピン数 3
用途 UHF/VHF帯業務無線用(520MHz)
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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