バイポーラトランジスタ | パワーMOSFETモジュール|パッケージ : SIP10pin (リード挿入)
型番 | MP4207 |
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メーカー | TOSHIBA |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Configuration | 2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5 A |
Drain Current-Max (ID) | 5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.2 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 180 pF |
JESD-30 Code | R-PSIP-T10 |
Number of Elements | 4 |
Number of Terminals | 10 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | IN-LINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 4 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10 A |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Max (toff) | 600 ns |
Turn-on Time-Max (ton) | 120 ns |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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