MG600Q2YS60A データシート Toshiba

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MG600Q2YS60A の詳細情報

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型番MG600Q2YS60A
メーカーTOSHIBA
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Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 600 A
Collector-emitter Voltage-Max 1200 V
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-XUFM-X11
Number of Elements 2
Number of Terminals 11
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 4300 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application MOTOR CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 1400 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 500 ns
VCEsat-Max 3.1 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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