MG50J1BS11 データシート Toshiba

MG50J1BS11 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MG50J1BS11 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番MG50J1BS11
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 50 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE
Fall Time-Max (tf) 1000 ns
Gate-emitter Thr Voltage-Max 6 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-XUFM-X3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 150 W
Power Dissipation-Max (Abs) 150 W
Qualification Status Not Qualified
Rise Time-Max (tr) 800 ns
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application MOTOR CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 1000 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 400 ns
VCEsat-Max 2.7 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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