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MG50G2DM1
データシート
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MG50G2DM1 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | MG50G2DM1 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| データシート |  |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 450 V |
| Drain Current-Max (ID) | 50 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.14 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PUFM-X8 |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Form | UNSPECIFIED |
| Terminal Position | UPPER |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
MG50G2DM1のレビュー
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