MG50G1BL3 データシート Toshiba

MG50G1BL3
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MG50G1BL3 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MG50G1BL3 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番MG50G1BL3
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 50 A
Collector-emitter Voltage-Max 450 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 100
JESD-30 Code R-PUFM-X3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

MG50G1BL3のレビュー

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