MG30G2DL1 データシート Toshiba

MG30G2DL1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MG30G2DL1 の詳細情報

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型番MG30G2DL1
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 30 A
Collector-emitter Voltage-Max 450 V
Configuration 2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 100
Fall Time-Max (tf) 2000 ns
JESD-30 Code R-PUFM-X6
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 250 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 2 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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