MG25J6ES40 データシート Toshiba

MG25J6ES40 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

MG25J6ES40 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番MG25J6ES40
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED
Collector Current-Max (IC) 25 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 350 ns
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PUFM-D17
Number of Elements 6
Number of Terminals 17
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form SOLDER LUG
Terminal Position UPPER
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 3.5 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

MG25J6ES40のレビュー

MG25J6ES40 のご注文について