10時間45分後
以内に見積もり依頼を頂ければ、
04月30日(火) 9:00
までに見積もり回答いたします。
型番 | MG15G1AM1 |
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メーカー | TOSHIBA |
データシート | |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 450 V |
Drain Current-Max (ID) | 15 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.4 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PUFM-D3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 30 A |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | NO |
Terminal Form | SOLDER LUG |
Terminal Position | UPPER |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
MG15G1AM1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。