MG15G1AM1 データシート Toshiba

MG15G1AM1
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MG15G1AM1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MG15G1AM1 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番MG15G1AM1
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 450 V
Drain Current-Max (ID) 15 A
Drain-source On Resistance-Max 0.4 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PUFM-D3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form SOLDER LUG
Terminal Position UPPER
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

MG15G1AM1のレビュー

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