MG1200V1US51 データシート Toshiba

MG1200V1US51
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MG1200V1US51 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MG1200V1US51 の詳細情報

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型番MG1200V1US51
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 1200 A
Collector-emitter Voltage-Max 1700 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Number of Elements 1
Number of Terminals 7
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 5550 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Transistor Application MOTOR CONTROL
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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