MG100Q2YS1 データシート Toshiba

MG100Q2YS1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MG100Q2YS1 の詳細情報

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型番MG100Q2YS1
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED
Collector Current-Max (IC) 100 A
Collector-emitter Voltage-Max 1200 V
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 500 ns
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PUFM-X7
Number of Elements 2
Number of Terminals 7
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 800 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 2.7 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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