JDV3S26CT データシート Toshiba

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JDV3S26CT の詳細情報

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型番JDV3S26CT
メーカーTOSHIBA
データシートProduct_list_pdf
Case Connection CATHODE
Configuration SINGLE
Diode Cap Tolerance 3.03 %
Diode Capacitance Ratio-Min 2.82
Diode Capacitance-Nom 15.8 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-CBCC-N3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 10 V
Sub Category Varactors
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

JDV3S26CTのレビュー

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