JDV2S36E データシート Toshiba

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JDV2S36E の詳細情報

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型番JDV2S36E
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Min 10 V
CT(1)/CT(2)(Typ.) 7.5
CT(lower_side)(Min)(pF) 5.4
CT(upper_side)(Min)(pF) 44
Configuration SINGLE
Diode Cap Tolerance 5.88 %
Diode Capacitance Ratio-Min 6.3
Diode Capacitance-Nom 46.75 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 10 V
Sub Category Varactors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Variable Capacitance Diode Classification ABRUPT
rS (Typ.)(ohm) 0.4
ピン数 2
回路数 1
用途 VCXO
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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