JDV2S09FS データシート Toshiba

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JDV2S09FS の詳細情報

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型番JDV2S09FS
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Breakdown Voltage-Min 10 V
CT(1)/CT(2)(Typ.) 2.1
CT(lower_side)(Min)(pF) 4.45
CT(upper_side)(Min)(pF) 9.7
Configuration SINGLE
Diode Cap Tolerance 6.73 %
Diode Capacitance Ratio-Min 1.8
Diode Capacitance-Nom 10.4 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Varactors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Variable Capacitance Diode Classification ABRUPT
rS (Typ.)(ohm) 0.33
ピン数 2
回路数 1
用途 VHF/UHF VCO
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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