JDP4P02AT データシート Toshiba

JDP4P02AT - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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ダイオード | 高周波スイッチ用ダイオード|パッケージ : TESQ (表面実装)

JDP4P02AT の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番JDP4P02AT
メーカーTOSHIBA
種別スイッチ用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Application SWITCHING
Breakdown Voltage-Min 30 V
Configuration SINGLE
Diode Capacitance-Max 0.4 pF
Diode Capacitance-Nom 0.3 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Forward Resistance-Max 1.5 ohm
Diode Res Test Current 10 mA
Diode Res Test Frequency 100 MHz
Diode Type PIN DIODE
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F4
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Qualification Status Not Qualified
Reverse Test Voltage 1 V
Sub Category PIN Diodes
Surface Mount YES
Technology POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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