JDP2S12CR(TE85L,Q) データシート Toshiba

JDP2S12CR(TE85L,Q) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TE85L:4mmピッチテーピング 左巻 Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|ダイオード | 高周波スイッチ用ダイオード|パッケージ : S-FLAT

JDP2S12CR(TE85L,Q) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番JDP2S12CR(TE85L,Q)
メーカーTOSHIBA
種別スイッチ用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature PD-CASE
Application SWITCHING
Breakdown Voltage-Min 180 V
Configuration SINGLE
Diode Capacitance-Max 1.3 pF
Diode Capacitance-Nom 1 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Forward Resistance-Max 0.7 ohm
Diode Res Test Current 10 mA
Diode Res Test Frequency 100 MHz
Diode Type PIN DIODE
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Power Dissipation-Max 1 W
Reverse Test Voltage 40 V
Sub Category PIN Diodes
Surface Mount YES
Technology POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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