TE85L:4mmピッチテーピング 左巻 Q:端子のみ鉛,ハロゲンフリー品|ダイオード | 高周波スイッチ用ダイオード|パッケージ : S-FLAT
| 型番 | JDP2S12CR(TE85L,Q) |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | スイッチ用ダイオード |
| データシート | ![]() |
| Additional Feature | PD-CASE |
| Application | SWITCHING |
| Breakdown Voltage-Min | 180 V |
| Configuration | SINGLE |
| Diode Capacitance-Max | 1.3 pF |
| Diode Capacitance-Nom | 1 pF |
| Diode Element Material | SILICON |
| Diode Forward Resistance-Max | 0.7 ohm |
| Diode Res Test Current | 10 mA |
| Diode Res Test Frequency | 100 MHz |
| Diode Type | PIN DIODE |
| Frequency Band | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 175 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Power Dissipation-Max | 1 W |
| Reverse Test Voltage | 40 V |
| Sub Category | PIN Diodes |
| Surface Mount | YES |
| Technology | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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