ダイオード | 高周波スイッチ用ダイオード|パッケージ : S-FLAT
型番 | JDP2S12CR |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | スイッチング・ダイオード |
種別 | スイッチ用ダイオード |
データシート | ![]() |
Additional Feature | PD-CASE |
Application | SWITCHING |
Breakdown Voltage-Min | 180 V |
CT (Typ.) (pF) | 1 |
Configuration | SINGLE |
Diode Capacitance-Max | 1.3 pF |
Diode Capacitance-Nom | 1 pF |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Forward Resistance-Max | 0.7 ohm |
Diode Res Test Current | 10 mA |
Diode Res Test Frequency | 100 MHz |
Diode Type | PIN DIODE |
Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY |
IO (Max) (A) | |
JESD-30 Code | R-PDSO-F2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Temperature-Max | 175 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Power Dissipation-Max | 1 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Reverse Test Voltage | 40 V |
Sub Category | PIN Diodes |
Surface Mount | YES |
Technology | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
VF (Max) (V) | 1 |
VF (Typ.) (V) | 0.8 |
VR (Max) (V) | 180 |
rS (Typ.) (ohm) | 0.4 |
ピン数 | 2 |
内部接続 | シングル |
回路数 | 1 |
製品分類 | 高周波PINダイオード |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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