JDP2S04E - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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ダイオード | 高周波スイッチ用ダイオード|パッケージ : ESC (表面実装)

JDP2S04E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番JDP2S04E
メーカーTOSHIBA
カテゴリスイッチング・ダイオード
種別スイッチ用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Application ATTENUATOR
Breakdown Voltage-Min 50 V
CT (Typ.) (pF) 0.25
Configuration SINGLE
Diode Capacitance-Max 0.4 pF
Diode Capacitance-Nom 0.25 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Type PIN DIODE
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
IO (Max) (A)
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Reverse Test Voltage 50 V
Sub Category PIN Diodes
Surface Mount YES
Technology POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VF (Max) (V) 1
VF (Typ.) (V) 0.95
VR (Max) (V) 50
rS (Typ.) (ohm) 3
ピン数 2
内部接続 シングル
回路数 1
製品分類 高周波PINダイオード
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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