JDP2S02ACT データシート Toshiba

JDP2S02ACT - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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ダイオード | 高周波スイッチ用ダイオード|パッケージ : CST2 (表面実装)

JDP2S02ACT の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番JDP2S02ACT
メーカーTOSHIBA
カテゴリスイッチング・ダイオード
種別スイッチ用ダイオード
データシートProduct_list_pdf
Application SWITCHING
Breakdown Voltage-Min 30 V
CT (Typ.) (pF) 0.3
Configuration SINGLE
Diode Capacitance-Max 0.4 pF
Diode Capacitance-Nom 0.3 pF
Diode Element Material SILICON
Diode Forward Resistance-Max 1.5 ohm
Diode Res Test Current 10 mA
Diode Res Test Frequency 100 MHz
Diode Type PIN DIODE
Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
IO (Max) (A)
JESD-30 Code R-XBCC-N2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Reverse Test Voltage 1 V
Sub Category PIN Diodes
Surface Mount YES
Technology POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VF (Max) (V) 0.94
VF (Typ.) (V) 0.9
VR (Max) (V) 30
rS (Typ.) (ohm) 1
ピン数 2
内部接続 シングル
回路数 1
製品分類 高周波PINダイオード
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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