JDH3D01FV データシート Toshiba

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ダイオード | 高周波用ショットキバリアダイオード|パッケージ : VESM (表面実装)

JDH3D01FV の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番JDH3D01FV
メーカーTOSHIBA
カテゴリショットキー
種別ショットキダイオード
データシートProduct_list_pdf
CT/Cj (Typ.)(pF) 0.6
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type RECTIFIER DIODE
IF/IF(AV)/IO (Max) (A) 0.025
IR/IRRM (Max)(mA)
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Number of Elements 1
Number of Phases 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Output Current-Max 0.025 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 4 V
Sub Category Rectifier Diodes
Surface Mount YES
Technology SCHOTTKY
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VFM (Max)(V)
VR/VRRM (Max)(V) 4
ピン数 3
内部接続
回路数
特長
製品分類 高周波用ショットキバリアダイオード
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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