JDH2S01T データシート Toshiba

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ダイオード | 高周波用ショットキバリアダイオード

JDH2S01T の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番JDH2S01T
メーカーTOSHIBA
種別ショットキダイオード
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON
Diode Type MIXER DIODE
Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 Code R-PDSO-F2
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Phases 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Output Current-Max 0.03 A
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Qualification Status Not Qualified
Rep Pk Reverse Voltage-Max 5 V
Sub Category Rectifier Diodes
Surface Mount YES
Technology SCHOTTKY
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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