HN4K03JU(TE85LF) データシート Toshiba

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パッケージ : USV (表面実装)|MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1

HN4K03JU(TE85LF) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4K03JU(TE85LF)
メーカーTOSHIBA
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.1 A
Drain Current-Max (ID) 0.1 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Sub Category FET General Purpose Powers
Surface Mount YES
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

HN4K03JU(TE85LF)のレビュー

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