HN4K03JU データシート

Name: HN4K03JU
Brand: TOSHIBA
SKU: 180082881-0000-0000-0000

HN4K03JU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

No Image

２営業日以内に回答いたします

パッケージ : USV (表面実装)|MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1

HN4K03JU の詳細情報

型番	HN4K03JU
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	小信号MOSFET
データシート
Ciss(pF)
Configuration	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	0.1 A
Drain Current-Max (ID)	0.1 A
Drain-source On Resistance-Max	12 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	0.1
JESD-30 Code	R-PDSO-G5
JESD-609 Code	e0
Number of Elements	2
Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.2 W
Qg(nC)
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	20
VGSS(V)
データシート
ピン数	5
ライフサイクル
極性	N-ch x 2
面実装区分	Y