HN4C06J-GR(TE85L,F) データシート Toshiba

HN4C06J-GR(TE85L,F) - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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HN4C06J-GR(TE85L,F)
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パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN4C06J-GR(TE85L,F) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番HN4C06J-GR(TE85L,F)
メーカーTOSHIBA
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 120 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.3 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 100 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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