パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1
型番 | HN4C06J-GR(TE85L,F) |
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メーカー | TOSHIBA |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Additional Feature | LOW NOISE |
Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 120 V |
Configuration | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
DC Current Gain-Min (hFE) | 200 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G5 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 5 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation Ambient-Max | 0.3 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 100 MHz |
VCEsat-Max | 0.3 V |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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