HN4C06J データシート

Name: HN4C06J
Brand: TOSHIBA
SKU: 180147476-0000-0000-0000

HN4C06J - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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パッケージ : SMV (表面実装)|バイポーラトランジスタ | 低周波増幅用トランジスタ | 2 in 1

HN4C06J の詳細情報

型番	HN4C06J
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	バイポーラ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Additional Feature	LOW NOISE
Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max	120 V
Configuration	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	200
IC (Q2)(Max)(A)	0.1
IC(Max)(A)	0.1
JESD-30 Code	R-PDSO-G5
Number of Elements	2
Number of Terminals	5
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation Ambient-Max	0.3 W
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz
VCEO (Q2)(Max)(V)	120
VCEO(Max)(V)	120
VCEsat-Max	0.3 V
ピン数	5
内部接続	エミッタコモン
極性	NPN + NPN
相補品形名
面実装区分	Y